美国开宣布厚度为单原子直径的半导体薄膜

  美国北卡州立大学研讨人员日前表明，他们开宣布制造高质量原子量级半导体薄膜（薄膜厚度仅为单原子直径）的新技能。资料科学和工程助理教授曹林友（音译）说，新技能能将现有半导体技能的规划缩小到原子量级，包含激光器、发光二极管和计算机芯片等。

  研讨人员研讨的资料是硫化钼，它是一种价格低的半导体资料，电子和光学特性与现在半导体工业界所用的资料相似。但是，硫化钼又与其他半导体资料不一样，由于它能以单原子分层成长构成单层薄膜，一起薄膜不会失掉原有的资料特性。

  在新技能中，研讨人员将硫粉和氯化钼粉放置于炉内，并将温度逐渐升高到850摄氏度，此刻两种粉末呈现蒸腾（汽化）并发生化学反响构成硫化钼。持续坚持高温，硫化钼能沉积到基片上，构成薄薄的硫化钼膜。

  曹林友表明，他们成功的关键是寻觅到了新的硫化钼成长机理，即自约束成长，通过操控高温炉平分压和蒸汽压来精确地操控硫化钼层的厚度。

  研讨人员现在在企图寻觅其他的方法，以制造相似的但每个原子层由不一样的资料组成的薄膜。一起，他们也在使用新技能制造场效应晶体管和发光二极管。

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